ゲルマニウム(Ge)半導体デバイス製造方法

開放特許情報番号
L2011004619
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2011/9/2

基本情報

出願番号 特願2006-215556
出願日 2006/8/8
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2008-041988
公開日 2008/2/21
発明の名称 ゲルマニウム(Ge)半導体デバイス製造方法。
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ゲルマニウム(Ge)半導体デバイス
目的 Ge半導体デバイスを実現するための接合部形成工程について、不純物イオン注入によって形成する接合部への不純物の拡散深さを制御し、浅接合を形成する方法を提供する。
効果 Geデバイス製造の接合部形成工程において、Xeイオン注入によるプレアモルファス化後にドーパントイオン注入する方法であって、Si基板の半導体デバイスより高速動作可能なGe半導体デバイスを高い集積度で製造する。
技術概要
Ge半導体デバイスの接合部を形成する工程において、Ge中への不純物の注入(ドーピング)をイオン注入によって行なう際、最初にキセノン(Xe)イオンのイオン注入によりGe表面をアモルファス化(プレアモルファス化)し、その後にドーパント(ドーピング対象不純物)イオンをイオン注入することにより、Ge半導体デバイス接合部における不純物の拡散深さを抑制し、浅い接合部を形成する。なお、Ge半導体デバイスとはGeの結晶体単体上に形成するデバイスのみでなく、ケイ素(Si)の結晶上に成長させたGe結晶の膜あるいは絶縁物上に成長させたGe結晶の膜(GeOI)等を使用したデバイスも含むものとする。Xeイオン注入によるプレアモルファス化の後でAsイオン注入を行ない、その後にアニーリングを行なった。結果は図1に示す通りであって、500℃でのアニーリング後のGe内へのAsイオン拡散深さは最大でも約30nmであったが、Xeイオン注入によるプレアモルファス化処理を経由せずにAsイオン注入を行なった場合の拡散深さは45nm以上に達し、Xeイオン注入によるプレアモルファス化がGe内へのドーパントイオン拡散深さの抑制に効果的であることを確認した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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