気体分離膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011004584
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2011/9/2

基本情報

出願番号 特願2005-081266
出願日 2005/3/22
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2005-305425
公開日 2005/11/4
登録番号 特許第4599557号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 気体分離膜及びその製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 気体分離膜
目的 これまでに実現されていない、水蒸気存在下の高温域での安定性に優れ、かつ高い気体透過性及び高い気体選択性を発揮する新規な気体分離膜、及びその製造方法を提供する。
効果 室温〜高温の幅広い温度領域(より好ましくは75℃以上500℃以下)の範囲において、非常に高いヘリウム透過係数を示し、且つ高い選択性を有する気体分離膜を製造することができる。さらに、室温〜高温の幅広い温度領域(より好ましくは75℃以上500℃以下)の範囲において、非常に高い水素透過係数を示し、且つ高い選択性を有する気体分離膜をも製造することができる。得られた気体分離膜は、従来のシリカ分離膜の弱点であった水蒸気存在下での高温環境においても、優れた安定性と気体透過性・選択性を保持している。
技術概要
気体分離膜の製造方法は、セラミック基材にシリカ金属複合層が積層されている気体分離膜の製造方法であって、加熱したセラミック基材に、シリカ金属コロイドソルを調製し、溶媒で希釈した希釈シリカ金属コロイドソルを接触させてシリカ金属コロイドゲル層を形成し、シリカ金属コロイドゲル層を焼成してシリカ金属複合層とするシリカ金属複合層形成工程を含んでいる。また。シリカ金属複合層形成工程は、加熱したセラミック基材に、第1の希釈シリカ金属コロイドソルを接触させて形成した第1のシリカ金属コロイドゲル層を焼成して、第1のシリカ金属複合層とする第1のシリカ金属複合層形成工程と、加熱した第1のシリカ金属複合層に、その平均粒径が第1の希釈シリカ金属コロイドソルよりも小さい第2の希釈シリカ金属コロイドソルを接触させて形成した、第2の希釈シリカ金属コロイドゲル層を焼成して、第2のシリカ金属複合層を形成する第2のシリカ金属複合層形成工程と、を含んでいても良い。図1は気体分離の原理を説明するためのシリカ膜により構成された気体分離膜の模式図、図2は気体分離膜の概略構造を示す模式図、図3は気体分離膜の構造を示す図である。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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