MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法

開放特許情報番号
L2011004566
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2011/9/2

基本情報

出願番号 特願2004-207620
出願日 2004/7/14
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2006-032564
公開日 2006/2/2
登録番号 特許第4517144号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 MOS電界効果型トランジスタ
目的 MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子及び受光素子の提供、これらを利用した光電子集積チップ及びデータ処理装置の提供。
効果 光配線を半導体集積回路内に形成することによって、CPU等プロセッサ、メモリセル間の信号伝達、異なるチップに形成された半導体集積回路間での光通信による信号伝達が可能となる。共有メモリを介してデータを共有し、各プロセッサにおける並列処理により高速、高度の情報処理を行うことができる。MOSFET型量子ドット発光素子及び受光素子をCMOSFET製造プロセスにより多数のMOSFETやメモリセルと同一製造方法で同一の半導体集積回路内に形成できる。
技術概要
 
発光素子は、半導体基板上に形成されたトンネルSiO2層及びこのSiO2層のSi殻内に形成されたGe核を内包した量子ドットを有し、この量子ドット及びトンネルSiO2層上にコントロールSiO2層とゲート電極層を備えてなり、また受光素子は、半導体基板上に形成されたゲートSiO2層上にドープSi層、Ge層及びドープSi層を順次積層してなる積層ゲート電極を備えてなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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