酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ

開放特許情報番号
L2011004537
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2011/9/2

基本情報

出願番号 特願平11-136710
出願日 1999/5/18
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2000-332136
公開日 2000/11/30
登録番号 特許第3643864号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 酸化膜の角で生じるキャリヤのディープレベル捕獲を利用した不揮発性メモリ
技術分野 電気・電子、無機材料、その他
機能 材料・素材の製造、表面処理、その他
適用製品 不揮発性メモリ
目的 動作電圧を下げることができ、素子の微細化が容易な新たな構造を有する不揮発性メモリを提供する。
効果 動作電圧を下げることができ、素子の微細化が容易な新たな構造を有する不揮発性メモリが実現される。
技術概要
本発明の不揮発性メモリは、少なくとも1つの角構造を有し、角構造を挟んでソース電極204との接合部202とドレイン電極205との接合部203とが形成されたシリコン半導体基板201上に、シリコン半導体基板の角構造にそった角構造を有するゲート酸化膜206が形成され、ゲート酸化膜上にゲート207が形成された不揮発性メモリであって、ゲート酸化膜206内に電気的に注入され、ゲート酸化膜206の角構造にディープレベル捕獲されるキャリヤによるしきい値電圧の変化によって情報を記憶するように構成し、ゲート酸化膜206の膜厚が10ナノメートル以上であることを特徴とする。図は不揮発性メモリ素子の断面図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 動作電圧を下げることができ、素子の微細化が容易な新たな構造を有する不揮発性メモリが実現される。
改善効果2 素子面積は同じでも、ゲート酸化膜の角構造の割合を増やすことによって、より大きなしきい値電圧のずれを実現することができる。
改善効果3 他の素子の不活性な横の部分を利用して角構造をもつ酸化膜を形成することができ、面積を増加させずにメモリを作ることが可能になる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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