論理回路および単電子スピントランジスタ

開放特許情報番号
L2011004488
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2007-509157
出願日 2006/2/2
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2006/100835
公開日 2006/9/28
登録番号 特許第4574674号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 論理回路および単電子スピントランジスタ
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 機能を再構成可能な論理回路、携帯電話などのモバイル機器
目的 論理回路の機能の不揮発的な再構成が可能であり、回路面積が小さく、消費電力の小さい論理回路および単電子スピントランジスタの提供。
効果 単電子スピントランジスタの磁化方向の変更によりそのコンダクタンスの制御が可能であり、これにより論理回路機能を不揮発的に再構成可能な論理回路が可能となる。さらに、単電子スピントランジスタは、制御する電荷量が小さいため、ゲートと島の間の小さいゲート容量を組み合わせることによりにアナログ入力が可能になる。よって、大面積のフローティングゲートを用いる必要がない。これにより、非常に小さな回路面積を実現できる。
技術概要
本技術は、ソースとドレインに間に配置され、ソースとドレインそれぞれの間にトンネル接合を有する島と、この島に容量結合したゲートと、を具備し、ソース、ドレインおよび島の少なくとも1つが磁化方向の変更可能な強磁性体を含む、単電子スピントランジスタを有し、単電子スピントランジスタの磁化方向の変更可能な強磁性体の磁化の方向を変えることによって、論理回路の機能を不揮発的に再構成する論理回路を提供することができる。さらに単電子スピントランジスタを用いることにより、回路面積が小さく、消費電力の小さい論理回路を提供することができる。この単電子スピントランジスタのソースおよびドレインが、同じ方向に磁化した強磁性体を含み、島が、磁化方向を変更可能な強磁性体を含む単電子スピントランジスタとすることができる。これにより、より確実にソースとドレイン間のコンダクタンスを制御でき、論理回路の機能の不揮発的な再構築に適した論理回路を提供することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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