磁性半導体材料

開放特許情報番号
L2011004487
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2007-508224
出願日 2006/3/17
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2006/098432
公開日 2006/9/21
登録番号 特許第4647654号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 磁性半導体材料
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 同一化合物でn型又はp型の両伝導極性を発現、磁気センサー
目的 同一化合物でn型及びp型電気伝導性を発現でき、化合物に電気伝導キャリアを導入することにより磁気特性が制御でき、特に、磁気転移温度を室温以上に制御できる新しい磁性半導体材料の提供。
効果 n型及びp型電気伝導性を発現でき、電気伝導度を制御でき、かつ磁気転移温度を室温以上に制御できるなどの特性を有する新しい磁性半導体材料を提供する。
技術概要
本技術は、電子の吸引及び供与は、陰イオン(O及びP)の化学当量比を化学量論組成からずらすこと及び化合物の構成イオンと異なるイオン価を持つ陽イオン又は陰イオンのドーピングなどにより実現することができることを見出した。また、d↑5電子配置は、遷移金属イオンの中では最大の磁気モーメントを有し、磁気転移温度を高くすることができること、さらに、禁制帯エネルギー幅を大きくでき、透過する光波長が短波長になることを見出した。すなわち、本技術は、化学式LnMnOPn(Lnは、Y、及びLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、又はLuの希土類元素のうちから選ばれた少なくとも1種、Pnは、N、P、As、Bi、又はSbのプニコゲン元素のうちから選ばれた少なくとも1種)で示されるオキシプニクタイド層状化合物からなり、同一化合物で電子キャリアの注入によりn型電気伝導、及びホールキャリヤの注入によりp型電気伝導の両極性伝導を発現することを特徴とする磁性半導体材料である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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