不揮発性相変化磁性材料、その製造方法及びそれを用いた不揮発性相変化磁気メモリ

開放特許情報番号
L2011004414
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2006-532739
出願日 2005/8/30
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2006/025413
公開日 2006/3/9
登録番号 特許第4423647号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 不揮発性相変化磁性材料、その製造方法及びそれを用いた不揮発性相変化磁気メモリ
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 不揮発性相変化磁性材料、不揮発性相変化磁気メモリ、光ディスク
目的 現状の光ディスクやハードディスクよりも、コスト、寿命、消費エネルギー及び記録密度を向上でき、また、より高精細な磁気潜像が可能な不揮発性相変化磁性材料と、これを製造する方法並びにこの不揮発性相変化磁性材料を用いた不揮発性相変化磁気メモリの提供。
効果 本技術によれば、光磁気ディスクのように希土類元素を必要としないので、低コストである。また、光磁気ディスクのアモルファス膜のように組成が複雑でないため寿命が長い。また、記録する際に、光磁気ディスクのアモルファス膜のように記録領域の物質全体の結晶構造を組み替えてアモルファス化する必要がなく、空孔の分布を変えるだけであるので、極めて低消費電力である。
技術概要
本技術の不揮発性相変化磁性材料は、化学量論比組成より遷移金属が欠損した組成の遷移金属カルコゲナイド化合物の結晶であり、組成式がA↓y X(但し、Aは遷移金属元素、Xはカルコゲン元素、0<y<1)で表される。遷移金属カルコゲナイド化合物の結晶は、遷移金属原子のスピンが結晶c面内においては強磁性的に結合しており、c面間では反強磁性的に結合しており、且つ、遷移金属の欠損である空孔が、空孔が存在するc面と空孔が存在しないc面とが交互に積み重なるように分布する規則構造を有し、結晶全体として強磁性的磁気特性を示す。また、遷移金属カルコゲナイド化合物の結晶は、第1の温度履歴を印加することにより、空孔分布の規則構造が、空孔が全てのc面に不規則に分布する不規則構造に変化して結晶全体として反強磁性的磁気特性を示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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