有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法

開放特許情報番号
L2011004376
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2006-511347
出願日 2005/3/24
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2005/091377
公開日 2005/9/29
登録番号 特許第4904541号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 有機薄膜を有する基板及びそれを用いたトランジスタ並びにそれらの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 有機半導体、電界効果トランジスタ
目的 C↓(60)やルブレンなどの有機薄膜を二次元成長できる、有機薄膜を有する基板の提供。
効果 本技術によれば、結晶品質の高い有機薄膜が得られ、有機薄膜の移動度などの諸特性が向上した、有機薄膜を有する基板を提供することができる。
技術概要
この技術では、C↓(60)などの有機薄膜を二次元成長できる有機薄膜を有する基板とそれを用いたトランジスタであって、基板上に、バッファー層と有機薄膜とを順次積層し、バッファー層が有機薄膜を配向させ、有機薄膜を有する基板を構成する。基板とバッファー層との間に、基板やバッファー層と配向しやすい層を挿入してもよい。基板はサファイア基板、バッファー層はペンタセン又フッ素化ペンタセン、有機薄膜はC↓(60)やルブレンを用いることができ、品質の高いC↓(60)やルブレンの2次元薄膜を得ることができる。このような有機薄膜を有する基板を用いることで、性能の高い電界効果トランジスタを実現できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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