量子ドット操作方法および量子ドット生成操作装置

開放特許情報番号
L2011004370
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2006-510966
出願日 2005/3/9
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2005/087654
公開日 2005/9/22
登録番号 特許第4878550号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 量子ドット操作方法および量子ドット生成操作装置
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 超流動ヘリウム、半導体量子ドット
目的 多量に生成した半導体量子ドットを、光学的に応用する場合に要求されるパーセントオーダー以下のサイズで制御できる半導体量子ドットの操作方法および生成操作装置の提供。
効果 本技術によれば、超流動ヘリウム中という低温環境下で操作を行うため、量子ドットの温度上昇に伴う共鳴のぼけを回避することができる。さらに、周囲は超流動状態にあるため、対象とする量子ドットはほとんど拡散や抵抗を受けずに運動することができる。
技術概要
この技術では、ナノ物質の電子的遷移エネルギーに、光が共鳴した場合には、共鳴しない場合に比して3桁または4桁も輻射力が増幅されるということ、さらに、個々の量子ドットが異なる量子力学的な個性を有するために光から受ける力が異なることを利用し、量子力学的個性の異なる量子ドットを光操作することが可能であることに着目した。すなわち、本技術にかかる量子ドット操作方法は、超流動ヘリウム中にて直接生成した量子ドットに光を照射することにより、量子ドットを操作する。量子ドット操作方法においては、量子ドットが、超流動ヘリウム中にて、レーザースパッタ法によって生成したものであることが好ましい。また、量子ドットに照射される光として、少なくとも1種類のレーザー光が用いられることが好ましく、さらに、レーザー光は、量子ドットに生じる輻射力の複数あるピークの、それぞれのピークのエネルギー位置を中心とし、それらのピークの半値全幅の2倍の幅を有する複数の領域の1つ、あるいはいくつかにかかる周波数を有するレーザー光であることがより好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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