| 出願番号 |
特願2006-510907 |
| 出願日 |
2005/2/28 |
| 出願人 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
WO2005/088726 |
| 公開日 |
2005/9/22 |
| 登録番号 |
特許第4620046号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＴＦＴ、ＺｎＯ、透明伝導性酸化物多結晶薄膜 |
| 目的 |
電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物の提供、更にはアモルファス酸化物をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの提供。 |
| 効果 |
本技術のアモルファス酸化物をチャネル層に用いた薄膜トランジスタは、例えば、ＬＣＤや有機ＥＬディスプレイのスイッチング素子として応用することができ、フレキシブル・ディスプレイをはじめ、シースルー型のディスプレイ、ＩＣカードやＩＤタグなどに幅広く応用できる。 |
技術概要
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この技術は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及びチャネル層を有する薄膜トランジスタであって、チャネル層に、Ｉｎ↓ｘＺｎ↓（１−ｘ）酸化物（０．２≦ｘ≦１）、Ｉｎ↓ｘＳｎ↓（１−ｘ）酸化物（０．８≦ｘ≦１）、又はＩｎ↓ｘ（Ｚｎ、Ｓｎ）↓（１−ｘ）酸化物（０．１５≦ｘ≦１）から選択される酸化物からなり、室温での電子キャリア濃度が１０↑（１８）／ｃｍ↑３未満、室温での電子移動度が、０．１ｃｍ↑２／（Ｖ・秒）超であるアモルファス酸化物が用いられている。また、アモルファス酸化物は、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加することを特徴とする薄膜トランジスタである。なお、通常の化合物では、キャリア濃度が増加するにつれて、キャリア間の散乱などにより、電子移動度は減少する。また、アモルファス酸化物は、室温での電子キャリア濃度が１０↑（１６）／ｃｍ↑３以下、室温での電子移動度が、１ｃｍ↑２／（Ｖ・秒）以上がより好ましい。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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