薄膜トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011004368
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2006-510907
出願日 2005/2/28
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2005/088726
公開日 2005/9/22
登録番号 特許第4620046号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 薄膜トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 TFT、ZnO、透明伝導性酸化物多結晶薄膜
目的 電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物の提供、更にはアモルファス酸化物をチャネル層に用いた薄膜トランジスタの提供。
効果 本技術のアモルファス酸化物をチャネル層に用いた薄膜トランジスタは、例えば、LCDや有機ELディスプレイのスイッチング素子として応用することができ、フレキシブル・ディスプレイをはじめ、シースルー型のディスプレイ、ICカードやIDタグなどに幅広く応用できる。
技術概要
 
この技術は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及びチャネル層を有する薄膜トランジスタであって、チャネル層に、In↓xZn↓(1−x)酸化物(0.2≦x≦1)、In↓xSn↓(1−x)酸化物(0.8≦x≦1)、又はIn↓x(Zn、Sn)↓(1−x)酸化物(0.15≦x≦1)から選択される酸化物からなり、室温での電子キャリア濃度が10↑(18)/cm↑3未満、室温での電子移動度が、0.1cm↑2/(V・秒)超であるアモルファス酸化物が用いられている。また、アモルファス酸化物は、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加することを特徴とする薄膜トランジスタである。なお、通常の化合物では、キャリア濃度が増加するにつれて、キャリア間の散乱などにより、電子移動度は減少する。また、アモルファス酸化物は、室温での電子キャリア濃度が10↑(16)/cm↑3以下、室温での電子移動度が、1cm↑2/(V・秒)以上がより好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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