透明強磁性単結晶化合物の製造方法

開放特許情報番号
L2011004355
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2006-510484
出願日 2005/2/25
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2005/083161
公開日 2005/9/9
登録番号 特許第4708334号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 透明強磁性単結晶化合物の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 アルカリ土類・カルコゲン化合物、ワイドバンドギャップ化合物
目的 大きな磁気光学効果を有し、所望の強磁性特性、例えば、強磁性転移温度などが得られる透明強磁性ワイドバンドギャップ化合物の製造方法の提供。
効果 本技術によれば、アルカリ土類・カルコゲン化合物等にB、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素を固溶させるだけで、完全スピン分極透明強磁性単結晶化合物が得られる。
技術概要
 
この技術では、光を透過するワイドバンドギャップ化合物を用い、化合物を基板上に成膜する方法として、MBE(分子線エピタキシー)法を用い、最外殻に不完全なp電子殻をもつ少なくとも1種の元素を化合物に1at%〜25at%固溶させることを組み合わせて、完全スピン分極した、強磁性転移温度が300度K以上である透明強磁性単結晶化合物を提供する。また、透明強磁性単結晶化合物を作製するに当り、固溶させる元素の濃度の調整により強磁性特性を調整する方法を提供する。本技術により得られる完全スピン分極透明強磁性アルカリ土類・カルコゲン化合物は、アルカリ土類・カルコゲン化合物に、最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも1種の元素が含有されている。アルカリ土類・カルコゲン化合物とは、アルカリ土類金属(Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra)とカルコゲン原子(O,S,Se,Te)とからなる化合物、具体例としては(BeO,BeS,BeSe,BeTe,MgO,MgS,MgSe,MgTe,CaO,CaS,CaSe,CaTe,SrO,SrS,SrSe,SrTe,BaO,BaS,BaSe,BaTe,RaO,RaS,RaSe,RaTe)などである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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