基板加工方法および半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2011004344
開放特許情報登録日
2011/9/2
最新更新日
2015/8/7

基本情報

出願番号 特願2009-244603
出願日 2009/10/23
出願人 独立行政法人日本原子力研究開発機構
公開番号 特開2011-091264
公開日 2011/5/6
登録番号 特許第5565768号
特許権者 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構
発明の名称 基板加工方法および半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 青色発光ダイオード、サファイア
目的 基板に微細加工や薄膜加工を容易に行うことができる基板加工方法および半導体装置の製造方法の提供。
効果 本技術によれば、基板に微細加工や薄膜加工を容易に行うことができる基板加工方法および半導体装置の製造方法を提供することができる。
技術概要
この技術は、サファイア基板にプロトンを注入することにより、サファイア基板中に200nmの波長の紫外線を吸収する点欠陥が注入エネルギーに応じて照射表面から数μ〜数10μmの深さに積層状に生成することを発見した。また、プロトンを注入することによりサファイア基板中に生じた点欠陥領域が特定波長を吸収することに着目して、そのことを応用してサファイア基板を加工する。すなわち、プロトン注入後のサファイア基板の外部より吸収波長のレーザ光をArFエキシマレーザによって照射することにより、プロトン注入したサファイア基板中に生成した点欠陥中に効率良くレーザ照射エネルギーを吸収させる。そして、吸収部の内部温度を上昇させることにより、点欠陥内部に固定されているH↓2分子の内部圧力を高め膨張させる。それにより、その内部圧力の高まりによる膨張によってサファイア中に生じる内部応力がサファイア自身の機械的強度以上になって、プロトン注入深さが注入面から浅い場合(1μm程度)には、平面応力状態で照射表面上にブリッジングを生じて剥離させ、レーザ照射面積に沿った表面剥離加工を行うことができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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