漏洩磁束密度計測による高精度欠陥評価技術

開放特許情報番号
L2011004316
開放特許情報登録日
2011/8/26
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2011-116518
出願日 2011/5/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-247194
公開日 2012/12/13
登録番号 特許第5674038号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 漏洩磁束密度計測による欠陥評価方法
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア、検査・検出
適用製品 漏洩磁束密度を利用した非破壊検査法、フラックスゲートセンサ
目的 FGセンサで測定した漏洩磁束密度にFGセンサ自身の大きさにより計測値が平均化される影響を考慮することにより逆解析の精度の向上を図る。
効果 従来のセンサ長を考慮しない(センサを点と見なした)ものより、高精度に測定することが可能になる。
技術概要
FGセンサにより測定した漏洩磁束密度分布と欠陥上に存在する磁荷との幾何学的対応関係を示す応答関数を用いて逆解析を行って磁化の分布を復元させることにより構造物の欠陥形状を評価する欠陥形状の評価方法において、前記応答関数として、FGセンサがセンサ長2Lを有することを考慮して修正した修正応答関数を用いて評価することを特徴とする欠陥形状の評価方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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