磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス

開放特許情報番号
L2011004285
開放特許情報登録日
2011/8/26
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2008-513300
出願日 2007/4/27
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2007/126071
公開日 2007/11/8
登録番号 特許第4582488号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 機械・部品の製造
適用製品 磁界検出、磁界反転の検出に必要な各種の電子機器、各種産業機械用の磁界検出装置、医療用電子機器の磁界検出装置など
目的 従来のFeCo合金やFeCoB合金よりも大きなTMRが室温で安定して得られる、スピン分極率の大きい磁性薄膜及びそれを用いたTMR素子やGMR素子等の磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス、さらにはこれを用いた磁気ヘッドや磁気記録装置などの磁気装置を提供することを目的としている。
効果 巨大磁気抵抗効果素子によれば、室温において、低電流で、かつ、低外部磁場で非常に大きなGMRを得ることができ、トンネル磁気抵抗効果素子によっても、同様に、非常に大きなTMRを得ることができる。 また、各種の磁気抵抗効果素子を、超大容量HDDの磁気ヘッドや不揮発性で高速動作するMRAMをはじめ種々の磁気装置へ応用することにより、小型で高性能の磁気装置が実現できる。
技術概要
Co↓2Fe(Si↓1↓−↓xAl↓x)(ここで、0<x<1)薄膜を作製し、この膜を用いて強磁性トンネル接合(MTJ)素子等を作製した結果、この膜は室温で強磁性であり、かつ、室温で70%を超えるような大きなTMRを発現することを見出した。 この発明の磁性薄膜は、基板と基板上に形成されるCo↓2Fe(Si↓1↓−↓xAl↓x)薄膜と、を備え、Co↓2Fe(Si↓1↓−↓xAl↓x)薄膜はL2↓1又はB2構造を有し、かつ、0<x<1である。 この構成において、基板は、熱酸化Si,ガラス,MgO単結晶,GaAs単結晶,Al↓2O↓3単結晶の何れか1つであればよい。好ましくは、基板とCo↓2Fe(Si↓1↓−↓xAl↓x)薄膜の間にバッファ層が配設されており、バッファ層として、Cr,Ta,V,Nb,Ru,Fe,FeCo合金,フルホイスラー合金のうち少なくとも1つであってよい。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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