抵抗変化型不揮発性メモリー素子

開放特許情報番号
L2011004265
開放特許情報登録日
2011/8/26
最新更新日
2015/11/5

基本情報

出願番号 特願2008-287236
出願日 2008/11/8
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2010-114332
公開日 2010/5/20
登録番号 特許第5096294号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 抵抗変化型不揮発性メモリー素子
技術分野 情報・通信、無機材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 抵抗変化型不揮発性メモリー素子、パソコン、携帯電話(モバイル機器)
目的 この発明は、電圧印加により電気抵抗値が変化する抵抗変化材料を利用した不揮発性メモリー装置のメモリー素子及び、メモリー素子の製造方法を提供する。
効果 この発明のC12A7エレクトライド素子の電気抵抗は、C12A7エレクトライド中の電子濃度が高いときには、正電圧の印加により抵抗値の急激なスィッチが生じ、また、印加した電圧を除去すると、抵抗値の変化は起こらない。さらに、電圧の印加による電流−電圧カーブには、ヒステリシスが見られる。以上の電流−電圧特性を利用して、C12A7酸化膜/C12A7エレクトライドの積層構造からなる二層膜を活性層として、電気抵抗変化型不揮発メモリーを構成することができる。
技術概要
近年、携帯電話などのモバイル機器が広く使われているが、それら機器では、データを保持するために、フラッシュメモリーなど、不揮発性メモリーが必要であり、メモリー素子のさらなる高速処理性、高集積化、大容量化が求められている。この発明は、C12A7エレクトライドの特性を応用したもので、活性層の両面に電極を形成した抵抗変化メモリー素子において、活性層が12CaO・7Al↓2O↓3酸化膜/12CaO・7Al↓2O↓3:eの積層構造からなる二層膜であることを特徴とするものである。ここで、12CaO・7Al↓2O↓3:eは、12CaO・7Al↓2O↓3中のフリー酸素イオンの10↑20cm↑−↑3以上、2.3×10↑2↑1cm↑−↑3以下を電子で置換したエレクトライド化合物であって、12CaO・7Al↓2O↓3酸化膜は、12CaO・7Al↓2O↓3:eの表面を酸化して形成された膜である。この構造によって両電極間の電圧印加による12CaO・7Al↓2O↓3酸化膜/12CaO・7Al↓2O↓3:eの積層構造からなる二層膜中のフリー酸素イオンの層間移動による二層膜の抵抗変化を利用したこと特徴とするメモリー素子である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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