層状化合物からなる超伝導体及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011004228
開放特許情報登録日
2011/8/26
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2008-082386
出願日 2008/3/27
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-234847
公開日 2009/10/15
登録番号 特許第5518295号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 層状化合物からなる超伝導体及びその製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 層状化合物からなる超伝導体及びその製造方法、室温超伝導体、ペロブスカイト型銅酸化物に代わる新しい化合物組成からなる超伝導体、遷移金属元素を含むプニクタイドからなる超伝導体
目的 超伝導技術の応用を飛躍的に広げるために、室温超伝導体の発見が強く望まれている。層状ペロブスカイト型銅酸化物において、Tcが100Kを超える高温超伝導体が見出されているが、まだ、室温超伝導体は見出されていない。室温超伝導体を開発するための一つの方策は、ペロブスカイト型銅酸化物に代わる遷移金属元素を骨格構造に有する新しい層状化合物群を見出すことである。そこで、ペロブスカイト型銅酸化物に代わる新しい化合物組成からなる超伝導体を提供する。
効果 この超伝導体は、公知の超伝導体と異なり、遷移金属元素を含むプニクタイドからなる新しい系の超伝導体である。この超伝導体は、長周期型周期表の1族、2族又は3族(Sc,Y、及び希土類金属)元素からなる層が金属から構成されるために、金属的な機械特性を有し、線材化が容易で、小型モーター、磁石などの線材として用いることができる。
技術概要
この超伝導体は、化学式A(TM)↓2Pn↓2[ただし、Aは、長周期型周期表の1族、2族又は3族(Sc,Y、及び希土類金属)元素の少なくとも1種、TMは、Fe,Ru,Os,Ni,Pd,Ptの遷移金属元素から選ばれる少なくとも1種、Pnは、15族元素(プニコゲン元素)から選ばれる少なくとも1種である]で表され、(TM)Pn層とA元素からなる金属層とが交互に重なる無限層結晶構造を有する化合物からなる。化学式A(TM)↓2Pn↓2において、Aを、長周期型周期表の1族、2族又は3族のいずれか一族の元素の少なくとも1種と、この一族と異なる族の少なくとも1種の元素の組み合わせとすることにより電子又はホールを伝導層の(TM)Pnにドープすることができる。この超伝導体は、原料混合粉末を真空中又は不活性ガス雰囲気中で、700〜1200℃で焼結し、化学式A(TM)↓2Pn↓2で表される化合物相を重量分率で85%以上含有する焼結体を製造する等の方法で製造することができる。図は、得られた焼結体の帯磁率の温度変化及び磁気モーメントの磁場依存性を示すグラフである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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