ホール注入電極と該電極を用いた有機EL素子

開放特許情報番号
L2011004224
開放特許情報登録日
2011/8/26
最新更新日
2015/11/5

基本情報

出願番号 特願2008-048755
出願日 2008/2/28
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2009-205990
公開日 2009/9/10
登録番号 特許第4842289号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ホール注入電極と該電極を用いた有機EL素子
技術分野 電気・電子、有機材料、金属材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 有機半導体に対してホール注入障壁を小さくした、低電圧でホール注入が可能なホール注入電極及びこの電極を用いた有機EL素子
目的 この発明は、室温で製膜され、有機半導体に対して低電圧でホール注入が可能なホール注入電極を用いた有機EL素子を提供する。
効果 この発明の、有機半導体からなる電子デバイスの有機素子へ低電圧でホールを注入することができ、低電圧駆動の有機半導体素子の実現を可能とする材料を提供する。さらに、この発明は、有機EL素子の室温製膜可能なホール注入電極、特に、トップエミッション型構造の有機EL素子の正面電極として適するホール注入電極として好適な材料を提供する。また、陽極本体の材料のみならず、ホール注入効率を高める中間電極、陽極バッファ層としても好適な材料を提供することができる。
技術概要
有機EL素子において、ホール輸送層は、発光層への正孔注入を容易にし、正孔を正孔注入電極から安定して輸送し、電子を遮断する層として働く。ホール注入電極(陽極)材としては、アルミニウム、金、銀、等の、仕事関数の大きい金属、及び導電性化合物が用いられるが、いずれの構造でも、実用素子としては、酸化インジウムに錫を添加したIn↓2O↓3Sn(ITO)が用いられている。しかし、ITOは電子伝導性(n型)半導体であるために、その表面に酸化処理を施すとITO最表面のキャリア(電子)濃度が減少し、電気抵抗が増加し、陽極とホール注入層間の接触抵抗が増加してしまうと言う欠点があった。この発明の有機EL素子は、分子式Cu↓2Chで示される組成を有し、仕事関数が4.6eV以上で、p型縮退電気伝導性を示す半導体化合物層を電極としたことを特徴とする有機半導体へのホール注入電極である。分式中のChは、カルコゲン元素のS,Se,Teのうち少なくとも1種を含むものである。さらに、酸素プラズマ処理などの表面酸化処理により、仕事関数を6.0eV以上まで大きくでき、注入電圧を低下させることができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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