半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

開放特許情報番号
L2011004192
開放特許情報登録日
2011/8/26
最新更新日
2011/8/26

基本情報

出願番号 特願2001-278057
出願日 2001/9/13
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2003-086835
公開日 2003/3/20
登録番号 特許第3723843号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
技術分野 電気・電子、有機材料、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 簡便な操作で得られ、発光ダイオード等の分野で広く利用される。
目的 半導体発光素子を構成する複数の半導体層からなる多層積層構造で生成された光に対する透過率を向上させ、光の高い取り出し効率を得ることを目的とする。
効果 発光面の実質的な臨界角を増大させて発光波長の透過率を向上させ、光取り出し効率に優れた半導体発光素子を提供することができる。
技術概要
複数の半導体層2、3からなる多層積層構造8を含む半導体発光素子10であって、多層積層構造の発光面6上に、多層積層構造より発せられる光の波長よりも短い周期で、格子状に配置された複数の凸部よりなる反射防止フィルタ17を具えるとともに、反射防止フィルタによって、光が取り出される外部の屈折率と多層積層構造の、発光面を構成する半導体層の屈折率との差が連続的に変化するようにする。尚、反射防止フィルタは、多層積層構造の、発光面を構成する半導体層と同一の半導体材料から構成されている。また、反射防止フィルタを構成する複数の凸部の高さが100nm〜400nmであり、反射防止フィルタを構成する複数の凸部の格子状周期が100nm〜400nmである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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