分子素子

開放特許情報番号
L2011003997
開放特許情報登録日
2011/8/19
最新更新日
2015/11/5

基本情報

出願番号 特願2006-336439
出願日 2006/12/13
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2008-153245
公開日 2008/7/3
登録番号 特許第5141943号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 分子素子
技術分野 電気・電子、情報・通信、有機材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 スイッチング素子、将来需要が高まると考えられるnmスケールのメモリや論理回路
目的 この発明は、金属内包フラーレンの方向を制御することで、多値スイッチや各種書き換え可能な論理素子を実現する分子素子を提供する。
効果 この発明によれば、各自己組織化単分子膜を配置する電極間の隙間をナノオーダーとすることで、金属内包フラーレンと自己組織化単分子膜を介して電極との間で形成されるトンネル接合でのトンネル抵抗を制御し、金属内包フラーレンに印加する電界により、金属内包フラーレンゲージの5員環及び6員環の各面において多段階に制御することで、多値スイッチや各種論理素子を実現することができる。
技術概要
半導体素子の微細化技術が伸展しているが、その微細化には限界がある。この微細化限界を克服するための次世代素子として、カーボンナノチューブやフラーレンなどが研究されている。金属内包フラーレンは、炭素からなるフラーレン殻の内部に金属原子を内包した機能性分子である。しかし、従来の金属内包フラーレンを含んだ分子素子では、ON/OFFの2値のみのスイッチ動作を行うに過ぎず、多値スイッチ、単一電子回路、XOR回路などの論理素子は実現できていない。この発明の分子素子は、第1の電極2と第1の電極上に配置した第1の自己組織化単分子膜4と第2の電極3と第2の電極上に配置した第2の自己組織化単分子膜5と第1の自己組織化単分子膜及び第2の自己組織化単分子膜5間に配置した金属内包フラーレン6とを備え、金属内包フラーレン6と第1の電極2との間に第1の自己組織化単分子膜4を介して第1のトンネル接合8を形成し、金属内包フラーレンと第2の電極3との間に第2の自己組織化単分子膜5を介して第2のトンネル接合9を形成し、金属内包フラーレンに印加する電界で、金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御するものである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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