分子素子

開放特許情報番号
L2011003968
開放特許情報登録日
2011/8/19
最新更新日
2015/11/5

基本情報

出願番号 特願2006-189807
出願日 2006/7/10
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2008-021685
公開日 2008/1/31
登録番号 特許第5120588号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 分子素子
技術分野 電気・電子、有機材料、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 nmスケールのメモリ・論理回路への展開が期待され、分子ナノエレクトロニクスの分野において重要な役割を果たすと期待される。
目的 この発明は、13K以上の温度条件でも、スイッチングの阻害要因となる金属内包フラーレンの熱的な回転を回避し、外部から電界を加えることによりスイッチングできる新規な分子素子を提供する。
効果 この発明によれば、自己組織化単分子膜の厚さを制御することにより、熱的に安定で、スイッチング動作が可能であると共に、記憶ができるメモリ素子として有用な分子素子を提供することができる。また、この発明の分子素子を用いたメモリ素子によれば、金属内包フラーレンの双極子モーメントの向きにより記憶ができるので、熱的に安定で、かつ、書き込み消去が可能で、読み出し電圧を加えることにより非破壊でデータを読み出すことができる。
技術概要
半導体素子の微細化限界を克服するための次世代素子として、機能性分子を用いた分子素子の研究が進められている。このような分子素子の材料としては、カーボンナノチューブやフラーレンが知られている。金属内包フラーレンは、炭素からなるフラーレン殻の内部に金属原子を内包した機能性分子で、フラーレン殻と内包金属原子との電荷交換により分子内に双極子モーメントを有しているため、金属内包フラーレンを用いた素子について多くの研究がおこなわれてきた。しかし、従来の金属内包フラーレン素子は、13K以上の温度で動作させることができないという課題があった。この発明の分子素子は、分子素子10は、第1の電極1と、第1の電極1上に配置される自己組織化単分子膜2と、その単分子膜上に配置される金属内包フラーレン3と、金属内包フラーレン3上に所定の距離を隔てて配置される第2の電極4と、を備え、自己組織化単分子膜の厚みが1.2nm以下である。自己組織化単分子膜2は、第1の電極1となる金属原子に化学吸着する第1の官能基と第1の官能基に結合する第2の官能基とから成る。この分子素子10は、65.1Kでスイッチング素子やメモリ素子として動作させることができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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