GeSn半導体デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2011003957
開放特許情報登録日
2011/8/19
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2006-122795
出願日 2006/4/27
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2007-294778
公開日 2007/11/8
登録番号 特許第4989101号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 GeSn半導体デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、無機材料
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 光デバイス
目的 この発明は、不整合転位や不純物をほとんど含まない、光デバイスとして利用可能なGeSn半導体デバイスを提供する。
効果 この発明のGeSn半導体は、微小なドットであるため歪エネルギーを低下させることができ、その結果、格子定数の不整合から生じる不整合転位を低減させることができる。また、1個当たりのドットに含まれる不純物や点欠陥の数を少なくできる。さらに、GeSnの組成比を調整して直接遷移型半導体を得ることができ、ドットサイズを調整することにより、半導体のエネルギーバンドギャップを適正範囲にして、光通信に利用可能な半導体デバイスを製造することができる。
技術概要
GeSn半導体は、Si基板上のモノリシックな多機能デバイスの実現を可能とする材料であり、その組成比によっては直接遷移型半導体となり、IV族半導体光デバイスとして有望視されている。このGeSn半導体は、組成比に応じてエネルギーバンドギャップが変化するため、発光波長をある程度任意に制御できる可能性も有している。しかし、不純物が少なく、不整合転位のない結晶性の良いGeSn材料はこれまで得られていなかった。この発明のGeSn半導体デバイスは、シリコン基板1に形成した極薄酸化膜2上に分子線エピタキシャル法を用いてGe5とSn6とを蒸着することで、GeSn半導体のナノメーターサイズの微結晶3を超高密度に形成して、GeSn半導体デバイスとするものである。このように微結晶化したドット部を形成するため、Ge中にSnが偏析しやすいと言う欠点を防ぐことができ、不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用することができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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