一次元モット絶縁体、一次元モット絶縁体薄膜及びそれらの製造方法

開放特許情報番号
L2011003953
開放特許情報登録日
2011/8/19
最新更新日
2015/11/3

基本情報

出願番号 特願2006-082966
出願日 2006/3/24
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2007-256775
公開日 2007/10/4
登録番号 特許第4930685号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 一次元モット絶縁体、一次元モット絶縁体薄膜及びそれらの製造方法
技術分野 情報・通信、有機材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 光方向性結合器、吸収型on−off光スイッチングデバイス、光双安定デバイス、マッハツェンダー型光スイッチングデバイス
目的 この発明は、大きな三次の非線形光学定数を有し、且つ、薄膜化できる新たな一次元モット絶縁体を提供する。
効果 この発明の一次元モット絶縁体は、極めて大きな三次の非線形光学効果を有するので、全光型デバイス用材料として使用することができる。また、この一次元モット絶縁体薄膜は、極めて大きな三次の非線形光学効果を有する薄膜であるので、小型の全光型デバイス用材料として使用することができる。
技術概要
非線形光学効果を有する材料は、光で光を制御するデバイス、すなわち、全光型デバイスへの応用が望まれている。情報通信の高速化需要に伴い光情報通信は普及しつつあるが、現状では、信号及び信号の伝送路が光化されているに止まっており、さらなる高速化のためには、大きな非線形光学効果を有する材料の開発が切望されている。この発明の一次元モット絶縁体は、化学組成式が、[Ni(L↓2 )X]Y↓2 、ただし、Lは1,2−ジアミノアルカン、X及びYはハロゲン化物イオン、で表され、Ni↑3↑+イオンとX- イオンとが交互に結晶b軸に沿って配置され、2つのLが、この2つのLのアミノ基の4つのN原子を介してNi↑3↑+イオンと結合し、且つ、結晶b軸に垂直な面内でNi↑3↑+イオンに配位した、NiとXから成る一次元鎖構造を有することを特徴とするものである。この発明の一次元モット絶縁体は、三次の非線形光学定数が大きく、薄膜化できるので、光方向性結合器、吸収型on−off光スイッチングデバイス、光双安定デバイス、マッハツェンダー型光スイッチングデバイスに使用することができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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