Si系クラスレートの製造方法

開放特許情報番号
L2011003912
開放特許情報登録日
2011/8/12
最新更新日
2015/1/21

基本情報

出願番号 特願2011-153635
出願日 2011/7/12
出願人 国立大学法人岐阜大学
公開番号 特開2013-018679
公開日 2013/1/31
登録番号 特許第5641481号
特許権者 国立大学法人岐阜大学
発明の名称 Si系クラスレートの製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 シリコン系クラスレートの製造方法
目的 Naを内包したII型のSi系クラスレートを、単体で安定して製造する方法を提供する。
効果 Si粉末とGe粉末の合計のモル数に対するGe粉末のモル数の割合が1モル%以上20モル%以下となるように供給することにより、I型のSi系クラスレートが混在しない状態でII型のSi系クラスレートを得ることができる。
Naの含有量が低減されたかあるいはNaが除去されたSi系クラスレートを、大量に製造することが可能となる。
Naのモル比が1.0よりも大きくなるようにNaを供給することにより、より安定的にII型のSi系クラスレートを製造することが可能となる。
技術概要
Siクラスレートは、超伝導などの特性を示し、通常のダイヤモンド構造のシリコンに比べてワイドギャップになるなど近年注目されている。Naを内包するSiクラスレートはSiクラスレート合成後、内包するNaを除去することが可能であることが示されており、Na量を減らしたSiクラスレートは半導体的性質を有することから、太陽電地光吸収層用新材料などへの応用が期待される。前記特徴を有するSiクラスレートは、内包するNaを除去可能なTypeUと、除去が困難なTypeTとが混合状態で得られる。本発明では、Geを利用してTypeUを選択的に合成することができるSiクラスレートの製造方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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