スピン依存伝達特性を有するトンネルトランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ

開放特許情報番号
L2011003812
開放特許情報登録日
2011/8/12
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2005-504240
出願日 2004/3/30
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2004/088753
公開日 2004/10/14
登録番号 特許第4500257号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 スピン依存伝達特性を有するトンネルトランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 トランジスタ、不揮発性記憶回路、不揮発性メモリ
目的 トランジスタ内部に含まれる強磁性体の磁化状態で出力特性を制御できる新しいトランジスタの提供。
効果 高密度に集積化が可能で、トランジスタ内の磁化状態に応じた出力電圧を負荷と電源により設計可能な不揮発性記憶回路が提供できる。
技術概要
この技術では、トランジスタは、伝導キャリアを注入する強磁性体からなるソース(強磁性ソース)と、強磁性ソースから注入された伝導キャリアを受けるドレインと、強磁性ソースとドレインとの間に設けられた強磁性体からなるトンネル障壁(強磁性トンネル障壁)と、強磁性トンネル障壁に対して形成され、強磁性トンネル障壁に電界を印加することにより強磁性ソースからドレインへのキャリアの伝導を制御するゲート電極とを有する。そして、伝導キャリアが電子の場合には強磁性トンネル障壁における伝導帯のエネルギーバンド端がスピン分裂しており、伝導キャリアが正孔の場合には強磁性トンネル障壁における価電子帯のエネルギーバンド端がスピン分裂しているものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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