半導体結晶成長方法

開放特許情報番号
L2011003809
開放特許情報登録日
2011/8/12
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2005-503747
出願日 2004/3/18
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2004/084283
公開日 2004/9/30
登録番号 特許第4382748号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 半導体結晶成長方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体結晶成長技術、III族窒化物結晶
目的 SiC表面の制御および/または成長開始時のシーケンス制御することによる、SiC上への高品質なIII族窒化物の結晶成長技術の提供。
効果 欠陥の導入を低減することができ、また、薄膜を高精度に成長することができるため、SiCやIII族窒化物の広いバンドギャップを活用した電子デバイス、光デバイスなどの作製に適用した場合、デバイス特性を向上させることができる。
技術概要
この技術では、SiC表面に原子レベルで平坦なステップ−テラス構造を形成し、その表面の酸化膜を除去する工程と、高真空下においてSi又はGaを照射し高温加熱を行う工程を少なくとも1サイクル以上行った後にIII族窒化物を成長する工程とを有する結晶成長方法を提供する。また、平坦かつ清浄なSiC表面を形成する工程と、高真空下においてIII族窒化物を成長する工程であって、III族元素を先行して供給した後に窒素を供給する工程とを有することが好ましい。また、平坦かつ清浄なSiC表面を形成する工程と、高真空下においてIII族窒化物を成長する工程であって、SiC表面上におけるIII族窒化物の結晶成長様式を制御する表面制御層を形成する表面制御元素を供給する工程と、III族元素と窒素とを供給し、続いて表面制御元素の供給を停止する工程とを有する結晶成長方法を提供する。表面制御元素は、Ga又はInであるのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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