不均一な量子ドットを有する半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法

開放特許情報番号
L2011003782
開放特許情報登録日
2011/8/12
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2004-560592
出願日 2003/6/13
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2004/055900
公開日 2004/7/1
登録番号 特許第4822150号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 不均一な量子ドットを有する半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体積層構造、発光ダイオード、半導体レーザダイオード、半導体光増幅器
目的 波長範囲の広い発光や増幅のできる、形成する際に格子歪を必要としない不均一な量子ドットを有する半導体積層構造及びそれを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、半導体光増幅器並びにそれらの製造方法の提供。
効果 半導体や半導体ヘテロ接合の内部にある不均一な量子ドット構造に起因した多数の量子準位を形成できる。そして、この多数の量子準位に起因した多波長発光や多波長増幅ができる不均一な量子ドットを有する半導体積層構造を得ることができる。
技術概要
この技術では、不均一な量子ドットを有する半導体積層構造は、形成する際に格子歪を必要としない量子ドットを有する半導体積層構造であって、量子ドットが少なくとも1層以上積層され、量子ドットのそれぞれが、その大きさ及び組成の何れか1つまたは両者が異なる化合物半導体からなる不均一な量子ドットから形成されているものとする。また、活性層の両側に、活性層よりも禁制帯幅の大きいクラッド層が積層されたダブルヘテロ接合構造であって、活性層が、形成する際に格子歪を必要としない不均一な量子ドットからなる層を少なくとも1層以上含むものとする。活性層に含まれる量子ドット層が、その大きさ及び組成の何れか1つまたは両者が異なる化合物半導体からなる不均一な量子ドットから形成されていることが好ましい。また、不均一な量子ドット層が、活性層に多層埋め込まれた構造でもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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