成膜装置用マスキング機構

開放特許情報番号
L2011003778
開放特許情報登録日
2011/8/12
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2004-537609
出願日 2003/9/19
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2004/027107
公開日 2004/4/1
登録番号 特許第4168425号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 成膜装置用マスキング機構
技術分野 機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 成膜装置用マスキング機構
目的 装置コストを高くすることなく、三元系相図薄膜を作製することができる、成膜装置用マスキング機構の提供。
効果 この技術の成膜装置用マスキング機構によれば、三元系相図薄膜を形成できる。しかも、一枚のマスクとこれを一軸方向に駆動する装置とから構成されているため、真空槽に配置するための容積が極めて小さく、従って、装置コストを高くすることなく、三元系相図薄膜を作製することができる。さらに、短時間で、かつ、信頼性の高い二元系,三元系相図薄膜を作製することが可能となる。
技術概要
この技術では、成膜装置用マスキング機構は、一枚のマスクと、マスクを基板に対して一軸方向に移動させる駆動装置とからなり、マスクは、第一のシングル作用エッジ、第二のシングル作用エッジ及び第三のシングル作用エッジとを有し、第一のシングル作用エッジの法線単位ベクトルと第二のシングル作用エッジの法線単位ベクトルとが120°をなし、第二のシングル作用エッジの法線単位ベクトルと第三のシングル作用エッジの法線単位ベクトルとが120°をなし、且つ、第三のシングル作用エッジの法線単位ベクトルと第一のシングル作用エッジの法線単位ベクトルとが120°をなしているものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT