半導体デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2011003760
開放特許情報登録日
2011/8/12
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2004-218457
出願日 2004/7/27
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2005-303249
公開日 2005/10/27
登録番号 特許第4508761号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 半導体デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 シリコン系化合物半導体、半導体デバイス
目的 光デバイス等として好適に用いることのできる半導体デバイスの製造方法の提供。
効果 シリコン系化合物半導体をドット状とした場合には、不整合転位を少なくして、光デバイスや高効率太陽電池や熱−電気抵抗材料に好適な半導体デバイスを得ることができる。
技術概要
この技術では、半導体デバイスの製造方法は、単結晶シリコン基板に基板側酸化膜を形成する工程と、Si又はGeのIV族半導体と、Fe,Mg,Ba,Cr,Mo,W,Mn,Re,Ru,Os,Irの金属のうち少なくとも一つの金属を基板側酸化膜に蒸着することに基づきシリコン系化合物半導体のドットを作製する工程と、シリコン系化合物半導体のドットを埋めるように、Si又はSi↓(1−x)Ge↓xにてスペーサー層を形成する工程と、を有するものとする。スペーサー層を形成する工程と、スペーサー層を熱酸化してスペーサー層側酸化膜を形成する工程と、IV族半導体と金属とをスペーサー層側酸化膜に蒸着することに基づきシリコン系化合物半導体のドットを作製する工程と、を少なくとも1回実施することが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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