キャリア誘起強磁性体を用いた素子又は高周波素子

開放特許情報番号
L2011003740
開放特許情報登録日
2011/8/12
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2004-100417
出願日 2004/3/30
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2005-286867
公開日 2005/10/13
登録番号 特許第4139348号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 キャリア誘起強磁性体を用いた素子又は高周波素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 キャリア誘起強磁性体、強磁性共鳴周波数、キャリア制御、マイクロ波素子
目的 GHz帯などの高周波におけるノイズ対策に有効なマイクロ波素子の提供。
効果 強磁性共鳴周波数を電気的、光学的に制御することができるGHz帯のマイクロ波素子を提供することができる。異方性磁場が大きいため、ゼロ磁場でも高周波領域で用いることができる。
技術概要
この技術では、素子は、キャリア誘起型強磁性体と、キャリア誘起型強磁性体のキャリア濃度を変調する制御を行う制御手段とを有する。キャリア濃度を変調することにより、強磁性共鳴周波数を制御することができる。強磁性共鳴周波数を制御するためには、キャリア誘起型強磁性体の異方性磁場を変調するか、キャリア誘起型強磁性体の磁化を変調する。キャリア誘起強磁性体は、動作温度付近において発現するように材料とキャリア濃度を調節するか、常磁性を用いる。高周波素子は、キャリア誘起型強磁性体と、直流磁場が略一定の場合において異方性磁場と磁化とに依存する共鳴周波数を制御する制御手段とを有する。磁化の変化により異方性磁場が変化するため、共鳴周波数が電界の関数として連続的に変化する。尚、キャリア誘起型強磁性体は、半導体に磁性元素を添加した強磁性半導体である。制御手段は強磁性半導体に対して電界を印加するか又は光を照射する手段である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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