マイクロプラズマジェット発生装置

開放特許情報番号
L2011003736
開放特許情報登録日
2011/8/12
最新更新日
2015/10/30

基本情報

出願番号 特願2004-076940
出願日 2004/3/17
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2005-267975
公開日 2005/9/29
登録番号 特許第3616088号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 マイクロプラズマジェット発生装置
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 マイクロプラズマジェット発生装置、マイクロ化学分析システム
目的 大気圧にて微小空間での安定したマイクロプラズマジェットを小電力で良好に生成させることのできるマイクロプラズマジェット発生装置の提供。
効果 マイクロプラズマ部は放電体積に反比例して電力密度が高くなることに起因して数十Wの小電力でも大気圧において極めて高密度のプラズマジェットを安定して生成させることが可能となる。
技術概要
この技術では、マイクロプラズマジェット発生装置は、VHF帯の高周波電源により駆動されるマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生装置において、基板と、基板上に配設されたマイクロアンテナと、マイクロアンテナの近傍に設置された放電管とを備え、マイクロアンテナが平板状に複数巻の波状形態を有するものとする。また、マイクロプラズマジェット発生装置に、プラズマガスを流量0.05〜5slmで導入し、かつVHF帯の高周波をマイクロアンテナに印加することを特徴とするマイクロプラズマジェットの生成方法を提供する。マイクロアンテナは、導電性金属、好ましくは銅、金、白金またはこれらの積層膜のメッキが施されており、そのメッキ厚は、次式、δ=(2/(ωμσ))↑(1/2)(式中、σは金属の導電率、μは透磁率、ωは高周波の角周波数である)で表される、高周波電流が流れる導体表面からの深さ(δ)の2倍以上とすることが好ましく、例えば、銅メッキでは100MHzで100μm程度の厚さが実際の臨界厚となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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