ナノデバイス材料及びそれを用いたナノデバイス

開放特許情報番号
L2011003660
開放特許情報登録日
2011/8/5
最新更新日
2015/10/29

基本情報

出願番号 特願2003-103643
出願日 2003/4/8
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2004-311733
公開日 2004/11/4
登録番号 特許第3993126号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ナノデバイス材料及びそれを用いたナノデバイス
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 ナノデバイス材料及びそれを用いたナノデバイス
目的 カーボンナノチューブを用いたナノスケールのP型半導体材料・N型半導体材料および金属材料を有するナノデバイス材料及びそれを用いたナノデバイスを提供する。
効果 空気中で安定な、P型・N型・金属(伝導体)カーボンナノチューブを作製することができる。また、種々の型のカーボンナノチューブを有するナノデバイス材料を組み合わせることにより、ナノスケールで様々なデバイス、つまりトランジスタ、ダイオード、発光素子、レーザー発振素子、又は論理回路を作製することができる。また、1本のカーボンナノチューブ内でもP−N接合を作製することができる。さらに、このナノデバイス材料を既存の材料と組み合わせても様々なデバイスを作製することができる。
技術概要
カーボンナノチューブの内部にイオン化エネルギーが6.6eV以下のドナーか、電子親和力が2.6eV以上のアクセプターの有機分子からなる、正孔または電子を与える電荷移動を起こす材料が含有されている、ナノデバイス材料である。図1はカーボンナノチューブを用いたナノデバイス材料を示す模式図、図2はカーボンナノチューブ(CNT)の内部に包含させる材料となり得る各種の分子の化学式を示す図、である。図1に示すように、カーボンナノチューブ(CNT)1内部に、電荷移動を起こす材料として、TCNQ(Tetracyano−p−quinodimethane)2〔電子を受け取る性質を持つ分子(アクセプタ)を包含させている。図3はカーボンナノチューブのナノデバイス材料を用いたナノデバイスの例を示す模式図である。ゲート電極51、ゲート酸化膜52、ソース電極53、ドレイン電極54、カーボンナノチューブ55とその内部に包含されるアクセプタ56からなるP型チャネルを有する電界効果トランジスタ50を構成することができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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