導電性を有するパイロクロア型磁気制御性物質を用いた素子

開放特許情報番号
L2011003621
開放特許情報登録日
2011/8/5
最新更新日
2018/1/5

基本情報

出願番号 特願2002-523400
出願日 2001/8/23
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2002/018274
公開日 2002/3/7
登録番号 特許第4193930号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 導電性を有するパイロクロア型磁気制御性物質を用いた素子
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 導電性を有するパイロクロア型磁気制御性物質を用いた素子
目的 結晶中における磁性イオンと電気伝導を担う電子系との相互作用を利用した電子機能材料、および広範囲の温度域で大きな熱容量を持つ良熱伝導性(伝熱性)の蓄熱材料において、磁気制御性を有する幾何学的フラストレーションを持った状態と、電気制御性および蓄熱利用に道を拓く良導電性という双方の有用な特性を同時に満足する新物質を開発する。
効果 希土類元素Rと遷移金属Irからなるパイロクロア構造の酸化物R↓2Ir↓2O↓7を用いて、制御性の高い幾何学的フラストレーションを持った磁気状態と金属又は非金属良導電性を合わせもつ量子状態を実現し、僅かの外部磁場等の印加による磁性状態の大きな制御性を利用した磁気スイッチング素子、磁気記憶素子等への応用が考えられる。また、局所的に存在する内部磁場によって外部磁場の印加を必要としない異常ホール効果等の量子現象を利用した電子機能材料としての応用も可能である。
技術概要
導電性を有するパイロクロア型磁気制御性物質を用いた素子は、Pr↓2Ir↓2O↓7で表される、導電性を有するパイロクロア型磁気制御性物質を用い、温度10K以下で使用する磁気センサ、磁気スイッチング素子、磁気記憶素子又は冷凍機用蓄熱素子である。このRとして希土類元素、すなわちランタンLa(57)、セリウムCe(58)、プラセオジムPr(59)、ネオジムNd(60)、プロメチウムPm(61)、サマリウムSm(62)、ユウロピウムEu(63)、ガドリニウムGd(64)、テルビウムTb(65)、ジスプロシウムDy(66)、ホルミウムHo(67)、エルビウムEr(68)、ツリウムTm(69)、イッテルビウムYb(70)、ルテチウムLu(71)およびイットリウムY(39)(括弧内の数字は原子番号)から選ばれる1種または2種以上の元素の組み合わせを用いる。図1はパイロクロア構造の原子・イオン配置図、図2(a)はR↓2Ir↓2O↓7パイロクロア構造酸化物の、酸素O及び希土類元素Rのイオンにより構成される正四面体構造、及び、図2(b)は、Ir及び残りの酸素Oで構成される八面体構造、を抜き出したもの。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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