電磁環境解析方法、電磁環境解析プログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体

開放特許情報番号
L2011003592
開放特許情報登録日
2011/8/5
最新更新日
2015/10/29

基本情報

出願番号 特願2002-197574
出願日 2002/7/5
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2004-038774
公開日 2004/2/5
登録番号 特許第3824561号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 電磁環境解析方法、電磁環境解析プログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 電磁環境解析方法に適用する。
目的 有限差分時間領域法(FDTD法)を改良した電磁環境解析方法を提供する。
効果 大規模なFDTDシミュレーションを簡略化し、計算時間やメモリを削減できる電磁環境解析方法が可能になる。
技術概要
セルサイズの異なる独立した有限差分時間領域法(FDTD法)解析を複数回行うことで、広範囲の計算、もしくは非常に微細なモデルの電磁界解析を行う電磁環境解析方法にする。例えば、二つの解析空間による計算法の場合、内部解析空間(IAS)20で計算した変換面S上での電磁界を一時保存し、外部解析空間(EAS)30に与え、さらに遠方界を計算し、IAS20内には、ダイポール、点電荷等からなる電磁界の発生源10を存在させる(図1)。このFDTD解析は、中央処理装置(CPU)である処理部1、入力部2、出力部3、表示部4及び記憶部5を有し、記憶部5は、IAS及びEAS電界ファイル51−1及び51−2、IAS及びEAS磁界ファイル52−1及び52−2、パラメータファイル53、信号ファイル54、変換面電界ファイル55、変換面磁界ファイル56を備える装置で行なうことができる(図2)。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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