ガス発生装置、及びガス発生方法

開放特許情報番号
L2011003518
開放特許情報登録日
2011/7/29
最新更新日
2015/10/28

基本情報

出願番号 特願2001-215952
出願日 2001/7/16
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2003-024764
公開日 2003/1/28
登録番号 特許第3730142号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ガス発生装置、及びガス発生方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 環境・リサイクル対策、安全・福祉対策、機械・部品の製造
適用製品 ガス発生装置
目的 この発明は、太陽あるいは人工光源からの光エネルギーを用い、溶液から水素ガスあるいは酸素ガス等のガスを公害等の虞の少ない手法で効率良く発生させる装置及び方法を提供する。
効果 この発明によれば、安定で低毒性な化合物である窒化物半導体を電極として用いたことによって、水素ガス及び酸素ガスなどの有用なガスを効率良く発生させ、公害等の虞の少ない手法で供給することができる。
技術概要
従来から、光エネルギーを利用して水素ガス等を発生し得る半導体として、砒化ガリウム(GaAs)や燐化ガリウム(GaP)や硫化カドミウム(CdS)などが試みられている。しかし、このような従来の半導体では、半導体が溶媒と反応して不安定であると共に、溶媒中に砒素(As)やカドミウム(Cd)等の毒性物質が溶け出す危険性が示されている。そこで、溶媒、特にアルカリ性水溶液中や酸性水溶液中において、それ自体が全く変化を起こさないか、又はその変化が小さな半導体が必要とされており、半導体の構成元素が毒性を有さないことが望まれている。この発明のガス発生装置は、互いに接続された金属極及び窒化物半導体極を有し、両電極が溶媒中に設置されたガス発生装置を提示するものである。この発明では、光エネルギーを窒化物半導体に吸収させ、その表面又はその窒化物半導体接続された金属表面において溶媒を分解させることを特徴とするガス発生方法である。この発明のガス発生装置における窒化物半導体極としては、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びアルミニウム(Al)から成る群から選択される一つ以上のIII族元素と窒素(N)から構成される化合物が最適である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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