高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法及びその装置

開放特許情報番号
L2011003495
開放特許情報登録日
2011/7/29
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2001-003446
出願日 2001/1/11
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2002-207069
公開日 2002/7/26
登録番号 特許第3822058号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法及びその装置
技術分野 情報・通信、電気・電子、その他
機能 制御・ソフトウェア、機械・部品の製造、その他
適用製品 高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧装置
目的 SSB位相雑音を低減することにより、センサ素子自身の熱的揺らぎ、あるいは熱雑音レベルまでの微小な信号の検出が可能となる高周波キャリア型磁界センサの位相雑音抑圧方法及びその装置の提供を目的とする。
効果 この発明によれば、微細加工プロセスとして、リフトオフを用いてセンサ素子を作製し、従来と比べて3倍以上のインピーダンス変化量を得た。またセンサ素子を積層化することで還流磁区の面積を減少させ、センサ利得の向上を実現した。高周波キャリア型センサが室温で動作するセンサとしては従来センサをしのぐ高感度を有し、次世代の磁気記録ヘッドの有力な候補となるだけでなく、室温で動作する超高感度磁界センサとして使用されるものと考えられる。
技術概要
磁性体に高周波キャリア電流を直接通電し、その表皮効果を利用した高感度な磁界センサを薄膜で実現する研究が盛んに行われている。しかし、既存の磁界センサに比較して高感度ではあるが、出力信号は微小であり、その理論的最小検出感度は磁気モーメントの熱的な揺らぎがあり、この微小な磁界信号は高周波キャリアによりAM変調され、側波帯信号を生じるが、それの最小検出感度はこれまで搬送波のSSB位相雑音レベルにより制限されていた。この発明の高周波キャリア型磁界センサは、信号発生器1と、ここに接続される第1のデバイダ2と、これに接続されるセンサ素子3と、このセンサ素子と並列に接続され、第1のデバイダ2に接続されるアッテネータ4と位相シフタ5との直列接続回路と、センサ素子3と位相シフタ5に接続される第2のデバイダ6と、この第2のデバイダ6に接続される前置増幅器7と、この前置増幅器7に接続されるスペクトラムアナライザ8とを備え、キャリア電圧を第1のデバイダ2で分圧し、位相シフタ5の出力信号がセンサ素子3の出力信号であるキャリア成分に対し、振幅が等しく、位相がほぼ180°異なるように、アッテネータ4と位相シフタ5を用いて調節する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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