基板マスキング機構およびコンビナトリアル成膜装置

開放特許情報番号
L2011003471
開放特許情報登録日
2011/7/29
最新更新日
2015/10/28

基本情報

出願番号 特願2000-259777
出願日 2000/8/29
出願人 科学技術振興事業団
公開番号 特開2002-069613
公開日 2002/3/8
登録番号 特許第3446138号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 基板マスキング機構およびコンビナトリアル成膜装置
技術分野 金属材料、無機材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、表面処理
適用製品 基板マスキング機構、コンビナトリアル成膜装置、高温超伝導体等の薄膜形成
目的 高温超伝導体等の薄膜形成は酸素雰囲気下で行なわれ、その雰囲気は、10↑−↑1Torr程度の低真空レベルに設定される。このような低真空雰囲気下では、マスク周囲からの回り込みが生じ、この回り込みが生じると、基板面における成膜領域をマスクによって規定できなくなる。そして、目標とする領域の周囲にターゲット原子が堆積し、所望の領域に薄膜を堆積させることができない結果となる。そこで、単一基板上に複数の薄膜を適正かつ効率的に形成可能な基板マスキング機構およびこの基板マスキング機構によるコンビナトリアル成膜装置を提供する。
効果 この技術によれば、この種の成膜装置において、マスクの孔周辺の基板面を遮蔽することにより、蒸発したターゲット原子が回り込んで進入するのを阻止し、マスクの孔により成膜領域を正確に規定することができる。また、1枚の基板上に複数の薄膜をシーケンシャルに堆積させていくことで、成膜条件の異なる薄膜を効率よく、しかも適正に形成することができる。
技術概要
この基板マスキング機構は、基板至近位置にマスクを配置し、このマスクの孔を通して成膜領域が設定されるようにした基板マスキング機構であって、マスクが、基板と密着する接触面を有する接触部と、この接触部が基板面に接触した際に接触部周辺の基板面を遮蔽するシールド部と、を備え、孔は、接触部の略中央部に開口しており、シールド部は基板に接触する周縁部を備え、この周縁部は基板からマスクへの熱伝導を小さくするように先端がエッジ状に形成されており、マスクを基板面に接触して成膜する際に、マスクの孔周辺の基板面を遮蔽することにより、蒸発したターゲット原子が回り込んで進入するのを阻止し、孔により成膜領域を規定する。更にコンビナトリアル成膜装置が提供される。図は、基板マスキング機構を示す斜視図である(2 ターゲット、12 マスク、13 孔、14 接触部、15 シールド部、17 ブラケット)。基板マスキング機構10は、基板1の至近位置にマスク12を配置し、このマスク12の孔13を通して成膜領域が設定されるようになっている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT