パイ接合SQUID、及び超伝導接合構造の製造方法

開放特許情報番号
L2011003386
開放特許情報登録日
2011/7/22
最新更新日
2014/9/26

基本情報

出願番号 特願2011-518329
出願日 2010/3/2
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 WO2010/140400
公開日 2010/12/9
登録番号 特許第5574299号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 パイ接合SQUID、及び超伝導接合構造の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 超伝導量子干渉素子、ジョセフソン接合、超伝導体のループ
目的 スピン三重項超伝導体が内因する性質を利用して、スピン三重項超伝導体とスピン一重項超伝導体とを用いた新方式のパイ接合SQUIDまた、構造が比較的強固であるとともに製作が比較的容易であるパイ接合SQUIDの提供。
効果 パイ接合超伝導量子干渉素子に係る本技術によれば、スピン三重項超伝導体とスピン一重項超伝導体とを用いた新方式のパイ接合を有するパイ接合超伝導量子干渉素子が得られる。また、スピン三重項超伝導体の単結晶を用いた基板の表面に、スピン一重項超伝導体のループ層を形成した場合、比較的強固な構造で、製作が比較的容易となる。
技術概要
本技術は、超伝導接合を有する超伝導ループによって構成されたSQUIDであって、超伝導接合が、[スピン一重項超伝導体/スピン三重項超伝導体/スピン一重項超伝導体]のパイ接合であるパイ接合SQUIDである。スピン三重項超伝導体の単結晶を用いた基板と、基板の表面に形成されたスピン一重項超伝導体のループ層と、を有し、ループ層は、基板に対して実質的に接合されていないループ本体領域と、基板に対して接合するための第1接合用領域及び第2接合用領域とを備え、第1接合用領域及び第2接合用領域それぞれが基板と接合することで、[スピン一重項超伝導体/スピン三重項超伝導体/スピン一重項超伝導体]のパイ接合を有する超伝導ループが形成されている。基板は、スピン三重項超伝導体と常伝導体との共晶によって形成され、スピン一重項超伝導体とスピン三重項超伝導体との接合に、基板が有する常伝導体の導電性を利用する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
Copyright © 2018 INPIT