光無電解酸化法による金属酸化膜の形成方法

開放特許情報番号
L2011003359
開放特許情報登録日
2011/7/22
最新更新日
2011/7/22

基本情報

出願番号 特願平10-230532
出願日 1998/8/17
出願人 熊本大学長
公開番号 特開2000-062076
公開日 2000/2/29
登録番号 特許第2942829号
特許権者 国立大学法人熊本大学
発明の名称 光無電解酸化法による金属酸化膜の形成方法
技術分野 金属材料、無機材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 金属酸化物固体材料の膜、半導体、新たな性質、機能性、無機機能材料の薄膜
目的 電解酸化は、基本的には電流を供給しながら金属酸化を形成するため、酸化膜の形成に電源が必要であり装置が大掛かりになってしまう。また、基板自体を電極として用いるため、基板材料が制限されてしまい、一方、無電解酸化法は、酸化剤と金属イオンとの間の電位差を利用して膜形成行うため、原理的に単結晶膜を形成することが困難であることに鑑み、比較的簡単な装置により基板上に金属酸化膜をエピタキシャル成長させることができる金属酸化膜の形成方法の提供。
効果 半導体基板の光を照射した部分に特有な金属酸化物膜を作製することができ、さらに基板として単結晶を用いることにより金属酸化物のエピタキシャル成長を容易に生じさせることができる。このため、その金属酸化物膜特有の機能性や、基板と金属酸化物の相互関係による新しい機能性を付与することができるので、電気・電子材料や光学材料などの分野に応用できる可能性を秘めたものである。
技術概要
この技術では、光無電解酸化法による金属酸化膜の形成方法は、金属イオンを含む電解質溶液と酸化剤とを含む溶液中に、膜形成すべき表面を有する基板を配置し、基板の膜形成すべき表面上に無電解酸化法により金属酸化膜を形成するに当たり、基板表面に、基板のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する光ビームを照射して基板表面に電子正孔対を生成し、基板表面上に生成された電子及び正孔と金属イオン及び酸化剤との酸化還元反応により基板表面に金属酸化膜を析出させる。伝導帯の電子が酸化剤を還元し価電子帯のホールが金属イオンを酸化するので、酸化剤は半導体基板のフラットバンド電位より正で且つ還元される金属イオンは価電子帯の電位位置よりも負であれば金属酸化物の析出が可能である。この場合、例えばTi0↓2のフラットバンド電位は約0Vであるので、これよりも正の電位を有するものは原理的に酸化剤として作用することができる。一方、Ti0↓2の価電子帯の電位は約2.8Vであるので、これよりも負の電位の全ての金属イオンを酸化することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 国立大学法人熊本大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT