| 出願番号 |
特願2006-351004 |
| 出願日 |
2006/12/27 |
| 出願人 |
昭和電工株式会社 |
| 公開番号 |
特開2008-166329 |
| 公開日 |
2008/7/17 |
| 登録番号 |
特許第4523935号 |
| 特許権者 |
昭和電工株式会社 |
| 発明の名称 |
炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、有機材料 |
| 機能 |
表面処理、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
簡便な操作で得られ、炭化珪素単結晶基板等を研磨する水系研磨スラリーとして広く利用される。 |
| 目的 |
エレクトロニクス関連用途に供される炭化珪素単結晶基板の精密研磨において、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような精度の高い表面研磨を達成しつつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨スラリーを提供する。 |
| 効果 |
エレクトロニクス関連デバイス用の基板として使用できる程度にまで表面平滑性を上げ、かつスクラッチ傷や加工変質層をなくすことが可能である。 |
技術概要
 |
炭化珪素単結晶を研磨するスラリーであって、コロイダルシリカからなる研磨材粒子、無機酸、ゲル化防止剤０．０１〜６質量％、及び酸化剤として過酸化水素０．５〜５質量％を含み、２０℃におけるｐＨが２未満である、炭化珪素単結晶基板を研磨する水系研磨スラリーである。尚、研磨材粒子を１質量％から３０質量％含み、また、無機酸が塩酸、硝酸、燐酸、硫酸のうちの少なくとも１種類である。また、ゲル化防止剤として１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸を含有する。更に、炭化珪素単結晶基板表面を水系研磨スラリーによって研磨することにより、炭化珪素単結晶基板を研磨する。 |
| 実施実績 |
【有】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)