炭化珪素単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2011003201
開放特許情報登録日
2011/7/15
最新更新日
2011/7/15

基本情報

出願番号 特願2006-273347
出願日 2006/10/4
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2008-088036
公開日 2008/4/17
登録番号 特許第4499698号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 炭化珪素単結晶の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 炭化珪素単結晶の製造方法、結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶、炭化珪素単結晶ウェハー、電力制御用パワー素子
目的 炭化珪素は、高温下でも使用可能な耐環境素子材料、耐放射線素子材料、電力制御用パワー素子材料等に利用され、近年、特に電力制御用パワー素子として注目されている。炭化珪素単結晶をこの電力制御用パワー素子として普及させるには、転位等の欠陥のない結晶が必要となる。炭化珪素単結晶の製法として、通常、昇華法が用いられるが、種結晶内に欠陥が生じ、その欠陥が成長結晶の結晶性を劣化させるという問題があり、種々の工夫がなされているがまだ充分でない。そこで、結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
効果 この炭化珪素単結晶の製造方法を用いることにより、結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶ウェハーを製造することが可能となるため、高性能の半導体、特にインバータ等を高い収率で製造することが可能となる。
技術概要
この炭化珪素単結晶の製造方法は、結晶成長ルツボに低温部と高温部を設け、この結晶成長ルツボの低温部に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を配し、高温部に炭化珪素原料を配して、炭化珪素原料から昇華した昇華ガスを種結晶基板上に析出させて炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、種結晶を配する箇所のルツボ部材に、炭化珪素との室温における線膨張係数の差が1.0×10↑−↑6/ケルビン以下である部材を用い、種結晶の側部を炭化珪素の部材を用いて保持することからなる。また、別の製造方法として、低温部となるルツボ部材と種結晶基板との間に、炭化珪素との室温における線膨張係数の差が1.0×10↑−↑6/ケルビン以下である物質を炭化珪素種結晶支持部材として用い、種結晶の側部およびこの支持部材の側部を炭化珪素の部材を用いて保持する炭化珪素単結晶の製造方法が提供される。図は、炭化珪素種結晶支持部の例である(21 ルツボ蓋、22 種結晶、23 種結晶支持部材、24 支持部固定部材、25 種結晶固定部材)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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