炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置

開放特許情報番号
L2011003181
開放特許情報登録日
2011/7/15
最新更新日
2011/7/15

基本情報

出願番号 特願2003-325856
出願日 2003/9/18
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2004-131376
公開日 2004/4/30
登録番号 特許第4505202号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶製造装置、結晶欠陥の少ない大口径の炭化珪素単結晶、半導体材料
目的 炭化珪素単結晶の製造に、通常、昇華法が用いられる。昇華法による炭化珪素単結晶の製造において、単結晶が成長する種結晶基板の表面近傍の領域における昇華ガスの成分の変動は、結晶欠陥が結晶に取り込まれたり、多型混入や異方性の成長が生じ、単結晶の結晶性が低下する要因となるため、高品位の単結晶を得るには、これらの昇華ガス成分の変動要因の制御が重要であるが、充分に制御できていない状況にある。そこで、昇華ガスの成分の変動を抑制し、結晶欠陥の少ない大口径の炭化珪素単結晶を、安定してかつ早い成長速度で成長させる方法を提供する。
効果 この昇華法による炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置によれば、雰囲気ガスを制御することにより昇華ガスの成分の変動を抑制し、結晶欠陥を低減した大口径の炭化珪素単結晶を、良好な結晶品質を維持したままかつ早い成長速度で、種結晶基板上に成長させることができ、生産効率を向上させることができる。
技術概要
この炭化珪素単結晶の製造方法は、黒鉛からなる成長ルツボに低温部と高温部を設け、成長ルツボの低温部に炭化珪素単結晶からなる種結晶基板を設置し、高温部に炭化珪素原料を設置して、この原料から昇華した昇華ガスを種結晶基板上に析出させ炭化珪素単結晶を成長させる製法であり、成長ルツボを外ルツボ内に設置し、成長ルツボと外ルツボの間に外部から珪素原料を継続的に供給し、この原料を成長ルツボと外ルツボの間で蒸発させながら炭化珪素単結晶を成長させる。製造装置は、黒鉛からなる成長ルツボ2に低温部と高温部を設け、成長ルツボ2の低温部に種結晶基板5を設置し、高温部に炭化珪素原料11を設置して、この原料11から昇華した昇華ガスを種結晶基板5上に析出させて炭化珪素単結晶6を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、成長ルツボ2が外ルツボ1内に設置され、成長ルツボ2と外ルツボ1の間に外部から珪素原料22を継続的に供給する供給手段が設けられている(蓋板3、シード台4、高周波誘導コイル7、断熱材8、測温穴9、放射温度計10、原料容器21、定量供給装置23、振動機24、導入管31、成長チャンバー51、排気装置52、ガス導入ライン53、マスフローコントローラー55)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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