AlGaInP発光ダイオードおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2011003154
開放特許情報登録日
2011/7/15
最新更新日
2011/7/15

基本情報

出願番号 特願平11-326894
出願日 1999/11/17
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2001-144323
公開日 2001/5/25
登録番号 特許第4409684号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 AlGaInP発光ダイオードおよびその製造方法
技術分野 電気・電子、情報・通信、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 AlGaInP発光ダイオード(LED)
目的 この発明は、LED動作電流を平面的に見た発光層の全域に広範囲に拡散できると共に、低い順方向電圧がもたらされ、優れた外部発光効率がもたらされる電極構造を具備したAlGaInPLEDを提供する。
効果 この発明によれば、台座電極から供給されるLED駆動電流を、導電性の酸化物層からなる透明導電膜を介して、半導体層上に散在させた粒状の各オーミック電極より発光部に流通できる電極の構成とし、かつオーミック電極を半導体層表面に万遍なく配置した平面形状において最大幅を20μm以下とする粒状の電極から構成したので、LED駆動電流を開放発光領域に均等に拡散でき、発光強度の均一性に優れ且つ高輝度のAlGaInPLEDが得られる。
技術概要
従来のAlGaInP発光ダイオード(LED)は、透明な酸化物からなる導電性の窓層から構成されているが、酸化物結晶とIII−V族化合物半導体層との接合に於ける障壁の高さに起因して、この両者との間にオーミック性に充分に優れる接触が構成できない問題があった。このため、電極を介して供給されるLED駆動用電流を発光面の広範囲に亘り拡散できず、LEDの高輝度化できず、また、順方向電圧が低減された特性のものであった。この発明のAlGaInPLEDは、台座電極から供給されるLED駆動電流を、導電性の酸化物層からなる透明導電膜を介して、半導体層上に散在させた粒状の各オーミック電極より発光部に流通できる電極の構成とし、かつそのオーミック電極を半導体層表面に万遍なく配置した平面形状において最大幅を20μm以下とする粒状の電極から構成するものである。この透明電極の粒状化により、AlGaInP結晶との間のオーミック特性が改善され、低い順方向電圧、光の遮蔽量も低減させることができるようになった。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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