AlGaInP発光ダイオード

開放特許情報番号
L2011003153
開放特許情報登録日
2011/7/15
最新更新日
2011/7/15

基本情報

出願番号 特願平11-237722
出願日 1999/8/25
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2001-068730
公開日 2001/3/16
登録番号 特許第4402214号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 AlGaInP発光ダイオード
技術分野 電気・電子、情報・通信、その他
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 発光ダイオード(LED)
目的 この発明は、高輝度のAlGaInPLEDを得るのに最適な透明窓層の構成要件と積層構成を提供する。
効果 この発明のフロー電解セルによれば、発光を都合良く外部へ取り出すのに好都合な窓層が構成できるため、高輝度のAlGaInP発光ダイオ−ドがもたらされる効果がある。また、この発明の構成による窓層では、AlGaInPLED構成層と良好なオーミック接触性がもたらされるため、順方向電圧が低く、且つ均一なAlGaInP発光ダイオードが提供できる。
技術概要
従来の、pn接合型のダブルヘテロ構造のAlGaInPLEDには、窓層が配置されているが、発光の取り出し効率を向上させるため、発光層からの光を吸収し難い、光に対して透明な禁止帯幅の大きな半導体材料から構成する必要がある。また、窓層は、発光面積の拡大を期して、素子動作電流を、LEDを構成するIII−V族化合物半導体結晶層へ広範に拡散する役目もある。しかし、従来の製造方法では、経時変化が多く充分な電気特性が得られていなかった。この発明のAlGaInPLEDは、窓層を有し、発光層は(Al↓xGa↓1↓−↓x)↓yIn↓1↓−↓yP多元混晶で構成されるものである。特に、インジウム組成比を0.5とする(Al↓xGa↓1↓−↓x)↓0↓.↓5In↓0↓.↓5は、GaAs単結晶と良好な格子整合性を果たせたLEDとして構成している。窓層は、ZnSe,ZnTe、CdSなどのII−VI半導体結晶層とMgO,In↓2O↓3、Ga↓2O↓3などの金属酸化物層とを含む重層構造から構成することを特徴としている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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