AlGaInP発光ダイオード

開放特許情報番号
L2011003073
開放特許情報登録日
2011/7/8
最新更新日
2011/7/8

基本情報

出願番号 特願平11-239365
出願日 1999/8/26
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開2001-068728
公開日 2001/3/16
登録番号 特許第4382912号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 AlGaInP発光ダイオード
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 AlGaInP発光ダイオード
目的 発光の外部へ取り出すに好都合であり、且つ、AlGaInPLEDを構成するIII−V族化合物半導体結晶層との良好なオーミック接合を発現するために透明酸化物層を含んでなる窓層の直下に金属薄膜を介在させてなるAlGaInPLEDに於いて、動作電流の電極直下の領域への流通を阻止する機能を発揮できる構成の提示。
効果 窓層上の電極から供給されるLED駆動電流を外部へ発を取り出すのに容易な領域に優先的に効率的に配分でき、高輝度のAlGaInPLEDが提供できる。
技術概要
この技術では、III−V族化合物半導体結晶層上に、金属薄膜を介して、酸化物を含む窓層と、電極を有するAlGaInP発光ダイオードにおいて、III−V族化合物半導体結晶層における電極の射影領域が、イオン注入されていることを特徴とするAlGaInP発光ダイオードを提供する。III−V族化合物半導体結晶層がn形層であり、イオン注入されている元素がアクセプター不純物であり、かつ金属薄膜とは異なる元素であることが好ましい。または、III−V族化合物半導体結晶層がp形層であり、イオン注入されている元素がドナー不純物であり、かつ金属薄膜とは異なる元素であることが好ましい。また、水素または酸素がイオン注入されていることが好ましい。さらに、金属薄膜が、電極の射影領域以外に設けてなることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT