炭化珪素単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2011003063
開放特許情報登録日
2011/7/8
最新更新日
2011/7/8

基本情報

出願番号 特願平10-005018
出願日 1998/1/13
出願人 昭和電工株式会社
公開番号 特開平11-199395
公開日 1999/7/27
登録番号 特許第4110601号
特許権者 昭和電工株式会社
発明の名称 炭化珪素単結晶の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭化珪素単結晶、耐環境素子材料、耐放射線素子材料、パワー素子材料、短波長発光素子材料
目的 結晶欠陥、インクルージョンの少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する方法の提供。
効果 Si原料と炭素材との反応から安定して高速度で、結晶欠陥の少ない高品位のSiC単結晶をSiC種基板上に効率良くエピタキシャル成長させる事ができる。
技術概要
この技術では、金属炭化物被覆ルツボを用い、ルツボ内の珪素原料からの珪素蒸発ガスを加熱された炭素材に接触させた後に種結晶基板上に到達させ、SiC単結晶を析出させる。ルツボは内面が耐熱性金属炭化物で被覆されているものとする。この金属炭化物は、融点又は分解温度が1900℃以上のものが好ましい。具体的には金属炭化物としてTaC、ZrC、NbC、Ta↓2C,TiC、Nb↓2C、MoC、WC、Mo↓2C等から選ばれた材質で、又それら複数の材質を組み合わせて用いる事ができる。炭素材は無定型炭素から黒鉛化した炭素までを含む炭素質である。又炭素材中に予め炭化珪素を共存させても良い。Si原料部の温度は炭素材部分の設定温度以下で1450〜2500℃の範囲で設定できるが、望ましくは1500〜2000℃である。次に炭素材部分の温度は1600℃以上で種基板温度よりも高く、且つその差が300℃を越えない範囲が良い。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 昭和電工株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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