半導体性のカーボンナノチューブの濃縮方法

開放特許情報番号
L2011003021
開放特許情報登録日
2011/7/8
最新更新日
2015/10/28

基本情報

出願番号 特願2009-256563
出願日 2009/11/9
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2011-098876
公開日 2011/5/19
登録番号 特許第5449987号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 半導体性の単層カーボンナノチューブの濃縮方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単層カーボンナノチューブ、マイクロ波誘導技術
目的 半導体性のカーボンナノチューブを短時間で高純度に濃縮することができ、同時に半導体性のカーボンナノチューブの直径分布を狭小化することができ、エレクトロニクスに重要な高い化学的、電子的品質を有する半導体性のカーボンナノチューブを得ることが可能な半導体性のカーボンナノチューブの濃縮方法の提供。
効果 本技術によれば、強酸水溶液中に分散することで凝集せず均一に分散されたカーボンナノチューブに対してマイクロ波を照射することで、金属性のカーボンナノチューブが選択的に破壊されて消滅し、半導体性のカーボンナノチューブを短時間で高純度に濃縮することができる。
技術概要
 
この技術では、金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブを強酸水溶液に分散する工程と、強酸水溶液中に分散されたカーボンナノチューブにマイクロ波を照射することにより金属性のカーボンナノチューブを選択的に消滅させて半導体性のカーボンナノチューブを濃縮する工程とを含む。そして、強酸水溶液中に分散されたカーボンナノチューブにマイクロ波を照射することにより、金属性のカーボンナノチューブを選択的に消滅させて半導体性のカーボンナノチューブを濃縮すると同時に、半導体性のカーボンナノチューブのうち直径のより短いものを選択的に消滅させて直径のより長いものを選択的に残存させ、半導体性のカーボンナノチューブの直径分布を原料のカーボンナノチューブよりも狭小化する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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