有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置

開放特許情報番号
L2011002857
開放特許情報登録日
2011/6/24
最新更新日
2011/6/24

基本情報

出願番号 特願2004-188068
出願日 2004/6/25
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2006-013128
公開日 2006/1/12
登録番号 特許第4726440号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 有機又は無機トランジスタ並びに画像表示装置
目的 動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を行うことができる有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
効果 ナノホールに対応する形状を有する微細なドット構造が、ゲート電極によって形成され、従来のリソグラフィー技術を用いることなく素子寸法の微細化を達成することができる。これによって、高移動度かつ高遮断周波数の有機トランジスタを実現することができる。このようにして実現された有機トランジスタは、動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を達成することができる。
技術概要
図1は有機トランジスタ及びその製造方法を示す図である。有機トランジスタは、基板1の表面に形成された導電層2上の絶縁層3及びそれを含む内面に形成される。導電層2は、ソース又はドレイン電極6に接続される。ゲート電極4は、絶縁層3上にある多孔質金属膜内にあり、ゲート絶縁膜5は、ゲート電極4を覆うようにして形成される。有機半導体層7は、ソース又はドレイン電極6とドレイン又はソース電極8との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層7とゲート絶縁膜5との界面に垂直方向に形成される。図2は有機トランジスタ及びその製造方法の他の例を示す図である。図3Aは、画像表示装置の平面図であり、図3Bは、図3AのIX−IX断面図である。この場合、図2Aに示す有機トランジスタを、アクティブスイッチング素子として液晶表示装置を構成している。下部のソース又はドレイン電極ライン31と上部のドレイン又はソース電極ライン32との交差する部分が、有機トランジスタの動作領域aとなり、これらソース又はドレイン電極ライン31及びドレイン又はソース電極ライン32を種々選択することによって、動作領域aを任意に選択することができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 この画像表示装置では、ソース電極及びドレイン電極の加工寸法に関係なくナノオーダの微細な有機又は無機トランジスタを形成することができるので、素子の大きさの制約が小さくなる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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