微細構造作製法

開放特許情報番号
L2011002837
開放特許情報登録日
2011/6/17
最新更新日
2016/10/7

基本情報

出願番号 特願2011-077839
出願日 2011/3/31
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-212796
公開日 2012/11/1
発明の名称 微細構造物の製造方法、該微細構造物の製造方法により製造される微細構造物、及び該微細構造物を有する電界効果型半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 10nm程度の溝を有する微細構造物を安価で簡便かつ高精度に作製可能とする微細構造物、電界効果型半導体素子
目的 10nm程度の溝を有する微細構造物を安価で簡便かつ高精度に作製可能な微細構造物の製造方法、該微細構造物の製造方法により製造される微細構造物、及び該微細構造物を有する電界効果型半導体素子を提供する。
効果 10nm程度の溝を有する微細構造物を安価で簡便かつ高精度に作製可能な微細構造物の製造方法、該微細構造物の製造方法により製造される微細構造物、及び該微細構造物を有する電界効果型半導体素子を提供することができる。
技術概要
トップダウン形成法により、基板上に少なくとも2つの凸状の形状からなる第1の構造体を形成する第1の構造体形成工程と、ボトムアップ形成法により、前記第1の構造体が形成された基板上に形成材料を堆積させ、隣接する前記第1の構造体の中間位置に凹状の溝を有する第2の構造体を形成する第2の構造体形成工程と、を含むことを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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