ゲート絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2011002829
開放特許情報登録日
2011/6/17
最新更新日
2018/1/8

基本情報

出願番号 特願2013-507625
出願日 2012/3/27
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2012/133433
公開日 2012/10/4
登録番号 特許第5652926号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ゲート絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 ゲート絶縁膜の形成方法及びこのゲート絶縁膜の形成方法を用いた半導体装置の製造方法
目的 界面にSiO↓2層が形成されない、極薄の等価酸化膜厚を持ったhigher-kのゲートスタックを実現するゲート絶縁膜の形成方法を、当該ゲート絶縁膜の形成方法を用いた半導体装置の製造方法と共に提供する。
効果 HfO↓2層上に酸素吸収効果のある酸素制御金属層を形成し、かつ、急速加熱により結晶化させる熱処理を行うことにより、界面にSiO↓2層は形成させることなく、極薄の等価酸化膜厚を持ったhigher-kゲートスタックが実現できる。
技術概要
HfO↓2層をゲート絶縁膜とするゲート絶縁膜の形成方法において、界面にSiO↓2層が形成されない、極薄の等価酸化膜厚を持ったhigher-kのゲートスタックを実現する。
シリコン基板(1)上にHfO↓2層(2)を原子層成長法により形成する工程と、HfO↓2層(2)上に酸素吸収効果のある酸素制御金属層(3)を形成する工程と、HfO↓2層(2)が結晶化する温度に加熱する熱処理をする工程と含むゲート絶縁膜の形成方法である。熱処理工程より前に、HfO↓2層(2)中に含まれる結晶成長核の量を制御する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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