トンネルトランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2011002825
開放特許情報登録日
2011/6/17
最新更新日
2016/10/7

基本情報

出願番号 特願2011-067536
出願日 2011/3/25
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-204583
公開日 2012/10/22
発明の名称 トンネルトランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 トンネルトランジスタの製造方法
目的 複雑なマスク工程を必要とすることなく、1回のリソグラフィ工程によるセルフアラインで、トンネルトランジスタを製造する方法を提供する。
効果 リソグラフィ工程が1回で済む。すなわち、マスク枚数が1枚で済む利点がある。さらに、リソグラフィの位置精度に依存せずゲート長を決定できるので、微細なトンネルトランジスタの製造が可能となる。
技術概要
ゲート絶縁膜及びゲート電極が積層された半導体基板上に第1の絶縁膜を形成しリソグラフィにより第1の絶縁膜の端部に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なりゲート電極位置を画定する第2の絶縁膜を形成する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにゲート電極の一端を画定する工程と、第1及び第2の絶縁膜をマスクにして第1導電型不純物を半導体基板に導入しソースを形成する工程と、半導体基板全面に第1の絶縁膜とは薬品選択性が異なる第3の絶縁膜を被覆する工程と、該第3の絶縁膜の一部を除去することにより該第1の絶縁膜を選択的に除去する工程と、第2及び第3の絶縁膜をマスクにしてゲート電極を形成した後、第2導電型不純物を半導体基板に導入しドレインを形成する工程を含むトンネルトランジスタの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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